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【プレスインフォメーション】GaN素子搭載 放熱対策不要! 小型・高効率 力率改善ユニットを販売

2016年10月24日
BPF_eyecatch

GaN素子搭載 放熱対策不要! 小型・高効率 力率改善ユニットを販売


 株式会社ベルニクス(本社:埼玉県さいたま市、代表取締役社長:鈴木 正太郎)は、インバーター・モーター制御等に利用可能な小型・高効率な力率改善ユニット「BPF-360S0R7」を販売開始しましたのでお知らせ致します。

 BPF-360S0R7では、メインスイッチにGaNパワートランジスタ(Transphorm社製)を採用し、ブーストダイオードにはSiCダイオードを使用しました。これによりSi製パワートランジスタを使った場合に比べて、2/3の体積で約2.5倍の出力電力を得ることに成功しました。

 また、GaNパワートランジスタを使うことで電力損失を大幅に低減し、放熱対策なしで自然空冷の環境での使用をノンディレーティングで実現しております。


1.概要
 FA機器全般に使用されるインバーター・モーター制御における電源には、効率だけではなく、高い力率が要求されます。当社では、この力率改善ユニットを放熱器や強制空冷を必要としない環境で使用できる製品を開発し、販売致しました。

2.製品の特徴
 (1)出力設定精度: ±3%
 (2)サイズ: 100 x 90 x 38.1mm
 (3)放熱器や強制空冷不要
 (4)補助電源内蔵 (出力: +12V / 100mA)
 (5)力率: 0.98(AC100V入力) / 0.95(AC200V入力)
 (6)効率: 94%(AC100V入力) / 96%(AC200V入力)

3.製品外観

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