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GaN素子搭載 放熱対策不要

特 徴

省スペースで力率改善回路を構成できます。高効率で損失が少ない為、重いヒートシンクを必要としません。周囲温度が70℃でも250Wを供給できます。機構設計を簡素化します。入出力端子は組み込み易いコネクタタイプです。 後段で100W~200W程度のDCDCを構成する時に最適です。 PFCの部品選定や回路設計、調整にかかる時間を節約できます。また高効率化の為のカットアンドトライの時間も大幅に削減可能です。 瞬停対策の電解コンデンサは搭載しておりますが、必要に応じて追加して頂く事で必要な瞬停対策を講じる事が可能です。

  1. 出力電圧設定精度 ±3%
  2. 高効率 94%/96% (100V/200V)
  3. 高力率 0.98/0.96 (100V/200V)
  4. 過電流保護回路内蔵
  5. 低入力電圧保護機能付
  6. 出力過電圧保護機能付
  7. ON/OFF制御機能付
  8. PowerGood出力機能 (オープンコレクタ)
  9. 補助電源出力 (+12V, 100mA)
  10. 動作温度 -20℃~+70℃ (50℃以上はディレーティング要)
  11. 雑音端子電圧 VCCI CISPR22 ClassB
  12. RoHS指令対応

 

 

製品紹介動画

 

 

仕 様

形名 入力電圧
Vac
出力電圧
Vdc
出力電流
A
効率
%(typ.)
力率
(typ.)
寸法
(mm)
データ
シート
サンプル
購入
BPF-360S0R7  85~264 360 0.7 94(100Vin)
96(200Vin)
0.98(100Vin)
0.96(200Vin)
100x90x35
  • ※周囲温度条件により温度ディレーティング及び強制空冷が必要です。

 

世界初 標準電源にGaN素子を採用

独自の高周波スイッチング技術により、世界で初めて、標準電源にGaNパワートランジスタを採用。
電力損失を低減し、変換効率を高めることに成功しました。Si製パワートランジスタを使った場合に比べて、
2/3の体積で約2.5倍の出力電力がとれます。さらに、スイッチング損失を極めて小さく抑えられるため、
軽負荷時の電力損失を大幅に低減可能です。また放射電磁雑音(EMI)が低いことも特徴の1つです。
これには、GaNパワートランジスタの採用に加えて、SiCダイオードをブーストダイオードに使ったことが貢献しています。
SiCダイオードのリカバリー電流が少ないためです。雑音端子電圧は、CISPR22のクラスBを十分に満足します。
さらに、EMIの発生源を除去するフィルターが不要のため、外形寸法の小型化にもつながりました。

世界初
GaNパワートランジスタ搭載!

 

GaNとは?

GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる半導体材料のことです。
GaNは、従来のパワー半導体の材料であるシリコン(Si)と比較して、すぐれた材料特性を持っています。
GaNを用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT : High Electron Mobility Transistor)はSiに比べて絶縁破壊耐圧が10 倍
となり高耐圧で、SiCに比べるとキャリア移動度が高く高速です。
GaNを使うことにより、小さなチップでも高耐圧で低オン抵抗のトランジスタができ、高速に動作するのでスイッチング
スピードを速くすることができます。この二つの効果により、従来のSi-MOSFETに比べて消費電力を下げることが可能となり、
また電源装置の小型化が可能となります。

高効率

 

温度ディレーティング

 

雑音端子電圧